SiC பூசப்பட்ட தொகுப்பு வட்டு

SiC பூசப்பட்ட தொகுப்பு வட்டு கலவை

செமிக்ஸ்லாப் SiC பூசப்பட்ட செட் டிஸ்க் என்பது ஐக்ஸ்ட்ரான் MOCVD உபகரணங்களுக்காக வடிவமைக்கப்பட்ட ஒரு வேஃபர் கேரியர் ஆகும். இது முக்கியமாக பின்வரும் இரண்டு பகுதிகளைக் கொண்டுள்ளது:

1. அடி மூலக்கூறு பொருள்: உயர்-தூய்மை ஐசோஸ்டேடிக் கிராஃபைட்

பொருள் அம்சங்கள்: மிக அதிக வெப்ப கடத்துத்திறன் (180 W/m·K வரை), அதிக வெப்பநிலையில் வலுவான நிலைத்தன்மை, எளிதில் சிதைக்கவோ அல்லது விரிசல் அடையவோ முடியாது.

நன்மைகள்: செதில்களுக்கு நல்ல வெப்ப சீரான தன்மை மற்றும் கட்டமைப்பு வலிமையை வழங்குகிறது, இது வளர்ச்சி செயல்முறையின் நிலைத்தன்மையை உறுதி செய்வதற்கான ஒரு முக்கிய அடிப்படையாகும்.

2. மேற்பரப்பு பூச்சு: உயர் தூய்மை SiC (சிலிக்கான் கார்பைடு) இன் CVD படிவு

படிவு முறை: பிளாஸ்மா-மேம்படுத்தப்பட்ட CVD அல்லது வெப்ப CVD செயல்முறை பயன்படுத்தப்படுகிறது, மேலும் பூச்சு தடிமன் 50–200μm க்கு இடையில் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது.

அம்ச விளக்கம்: மேற்பரப்பு அடுக்கு அடர்த்தியானது மற்றும் துளைகள் இல்லாதது, மோஸ் கடினத்தன்மையின் இயந்திர வலிமை 9 க்கு அருகில் உள்ளது, மேலும் அரிப்பு மற்றும் அதிக வெப்பநிலை தாக்கத்திற்கு மிகவும் எதிர்ப்புத் திறன் கொண்டது.

ஏன் Semixlab-ஐ தேர்வு செய்ய வேண்டும்?

நீங்கள் தேடுகிறீர்கள் என்றால்:

● Aixtron அமைப்புகளுக்கான உயர் செயல்திறன் கொண்ட SiC பூசப்பட்ட தொகுப்பு வட்டு.

● தனிப்பயன் அளவுகள், புதுப்பித்தல் சேவைகள் மற்றும் உயர் வெப்பநிலை அரிப்பு சூழல்களை ஆதரிக்கும் கேரியர் தீர்வுகள்.

● MOCVD விளைச்சலை மேம்படுத்தி செயல்முறை நிலைத்தன்மை சுழற்சிகளை நீட்டிக்கும் உயர்தர கூறுகள்.

சமீபத்திய விலைப்புள்ளி மற்றும் தொழில்நுட்ப விவரக்குறிப்புகளைப் பெற இப்போதே எங்களைத் தொடர்பு கொள்ளவும். உங்கள் உற்பத்தி வரிசையில் விரைவாகப் பயன்படுத்த உதவும் வகையில் உலகளாவிய விநியோகம் மற்றும் தொழில்நுட்ப ஆதரவு சேவைகளை நாங்கள் வழங்குகிறோம்.

முக்கிய இயற்பியல் பண்புகள் பகுப்பாய்வு

1. உயர் வெப்பநிலை எதிர்ப்பு

இயக்க வெப்பநிலையின் மேல் வரம்பு 1600°C+ ஐ அடையலாம். பூச்சு அமைப்பு வெப்ப அழுத்தத்தால் விரிசல் ஏற்படாது அல்லது உரிக்கப்படாது மற்றும் நீண்ட சுழற்சி MOCVD எதிர்வினை சூழலைத் தாங்கும்.

2. வெப்ப கடத்துத்திறன் மற்றும் வெப்ப சீரான தன்மை

அடி மூலக்கூறு + பூச்சு ஆகியவற்றின் கலவையானது வெப்பக் கடத்தலை மிகவும் திறமையானதாக்குகிறது மற்றும் சீரற்ற வெப்பத்தால் ஏற்படும் செதில் வளர்ச்சி குறைபாடுகளைத் தவிர்க்கிறது. வெப்பக் கடத்தலின் நிலைத்தன்மை படிவு தடிமன் மற்றும் கலவையின் சீரான விநியோகத்தை உறுதி செய்கிறது, மேலும் விளைச்சலை மேம்படுத்துகிறது.

3. இரசாயன அரிப்பு எதிர்ப்பு

இந்தப் பூச்சு ஹைட்ரஜன், அம்மோனியா, TMGa மற்றும் TMAl போன்ற அதிக அரிப்பை ஏற்படுத்தும் MOCVD செயல்முறை வாயுக்களை திறம்பட எதிர்க்கும். இந்தப் பொருள் மிகவும் அடர்த்தியான β-SiC கட்டமைப்பைக் கொண்டுள்ளது மற்றும் எதிர்வினை வாயுவுடன் கிட்டத்தட்ட எந்த பக்க எதிர்வினைகளும் ஏற்படாது.

4. மேற்பரப்பு துகள் கட்டுப்பாடு

பூச்சு மேற்பரப்பு குறைந்த கரடுமுரடான தன்மையைக் கொண்டுள்ளது (Ra<0.5μm) மற்றும் துகள்களை உறிஞ்சுவது அல்லது உரிப்பது எளிதல்ல. செயல்முறை நுண்-துகள் மாசுபாட்டைக் குறைக்கவும், குறிப்பாக 6 அங்குலம் மற்றும் அதற்கு மேற்பட்ட பெரிய அளவிலான வேஃபர் செயல்முறைகளுக்கு ஏற்றது.

தயாரிப்பு பயன்பாட்டு காட்சிகள் மற்றும் அவற்றின் செயல்பாடுகள்

1. Aixtron Planetary Reactor கட்டமைப்பிற்காக பிரத்யேகமாக வடிவமைக்கப்பட்டது.

AIX 200 மற்றும் AIX 2800G4 போன்ற கிரக டர்ன்டேபிள் கட்டமைப்புகளின் எதிர்வினை அறைகளுக்குப் பொருந்தும்.

சுழற்சியின் போது வேஃபரின் வெப்ப சமச்சீர்மை மற்றும் காற்றோட்ட சமநிலையை உறுதி செய்வதற்காக வட்டு அமைப்பு துல்லியமாக வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது.

2. கூட்டு குறைக்கடத்தி எபிடாக்ஸியில் முக்கிய பங்கு

பல்வேறு III-V கலவைப் பொருட்களின் MOCVD எபிடாக்சியல் வளர்ச்சிக்குப் பொருந்தும், இதில் அடங்கும் ஆனால் இவை மட்டும் அல்ல:

● GaN/AlGaN: LEDகள், லேசர்கள், மின் சாதனங்களுக்கு.

● AlN, InGaN: UV LEDகள் மற்றும் உயர் அதிர்வெண் சாதனங்களுக்கு.

● GaAs/InP எபிடாக்ஸி: அதிவேக மின்னணு சாதனங்கள் மற்றும் லேசர் தொடர்பு சில்லுகளுக்கு.

குறைக்கடத்தி சிப் எபிடாக்ஸி தொழில் சங்கிலி:

செமிக்ஸ்லாப் SiC பூசப்பட்ட செட் டிஸ்க் கடைகள்