SiC படிக வளர்ச்சி மூலப்பொருள்

SiC படிக வளர்ச்சிக்கான மூலப்பொருட்களே முழு செயல்முறையின் தொடக்கப் புள்ளியாகும். அதன்பின் வரும் கட்டமைப்பு, குறைபாடுகள், செயல்திறன் ஆகிய அனைத்தும் ஏதோ ஒரு வகையில் இந்தக் கட்டத்துடன் தொடர்புடையவை.

உண்மையான உற்பத்தியில், மூலப்பொருட்களில் உள்ள சிறிய வேறுபாடுகள் ஆரம்பத்தில் எப்போதும் வெளிப்படையாகத் தெரிவதில்லை. ஆனால் படிக வளர்ச்சி ஏற்படும்போது, ​​குறிப்பாக உயர் வெப்பநிலையில், அவை மிகவும் தெளிவாகத் தெரியக்கூடும்.

செமிக்ஸ்லேபில், இந்தக் கட்டத்தை நிலையானதாகவும் மீண்டும் மீண்டும் செய்யக்கூடியதாகவும் வைத்திருப்பதில் கவனம் செலுத்தப்படுகிறது. தூய்மை மட்டுமல்ல, ஒவ்வொரு தொகுப்பிலும் மூலப்பொருள் எவ்வளவு சீராகச் செயல்படுகிறது என்பதும் இதில் அடங்கும்.